每平几万起？闪存原厂盖大楼的3D闪存大解密

联想云
　　最近东芝和SK Hynix齐发力，连续宣告64层、72层和96层3D闪存，不仅从数值上压制三星当代48层V-NAND，更是要从容量上实现赶超。为何各家闪存原厂都要在3D闪存的堆叠层数上进行较量？存储极客今天来为大家带来解读。

　　同过去2D闪存在基板上摊大饼式扩张不同，3D闪存将存储单元以“盖高楼”的形式从垂直方向堆叠发展，这样在更小的面积上就能实现更大的存储容量，就如同房产商盖高楼一样，实现土地价值最大化的同时，也降低单个住（shu）户（ju）的成本。

　　以东芝和三星几乎同时实现的64层堆叠来说，可实现单个芯片512Gb的存储密度，如果以16Die叠Die封装，我们能看到的单颗闪存颗粒容量就将有1TB。如果主控能够支持的话，一块2.5寸固态硬盘电脑B正反面贴满16颗那就是16TB容量啦。

　　当然了，和现实世界中的摩天大楼一样，3D闪存这座大楼也并不是可以无限制堆叠高层的，闪存不同层面之间需要通孔并连接，而这样的通孔会产生一些电气干扰。目前技术所能实现的堆叠层数是64层，而东芝已将下个目标设定在96层堆叠，百层大楼指日可待。

　　东芝通过TSV硅通孔将3D闪存互联，不同半导体材质分层混合实现互通与绝缘。

　　晶圆处理过程在自动化与无尘净化的车间进行，屋顶上轨道车中运载的就是硅晶圆。以下图片摄于东芝位于日本四日市的闪存制造工厂。其中Fab 2、Fab 5以及未来的Fab 6都将用于3D闪存的生产。

　　晶圆制造包括光刻和切割处理等工序。

　　检测合格的晶片进入装配流程。

　　完成封装和测试之后，3D闪存才能出厂。对于所有闪存颗粒来说，晶圆制造都是由原厂完成的，而检测与封装步骤的不同则区分了原厂闪存与白片。

　　不是所有的3D闪存都天生一副好体质，更强性能、更高耐久的特点仅有在原厂闪存中才能获得保障。或许你已经用过标称3D闪存的固态硬盘却发现性能一般，那是因为不同闪存原厂的产品会有很大差异。趁3D TLC遍及世界之前，其实你也可以选择先买一块原厂MLC的Q200防身。